| 型号：MX25L6406EMI-12G | 类别：存储器 | 制造商：Macronix |
| 封装：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 描述：IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP |
| 系列 | MX25xxx05/06 |
| 制造商 | Macronix |
| 格式_存储器 | 闪存 |
| 存储器类型 | 闪存 - 或非 |
| 存储容量 | 64M（64M x 1，32M x 2） |
| 速度 | 86MHz |
| 接口 | SPI 串行 |
| 电压_电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 16-SOP |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市恒天华科技有限公司 | 邓0755-83793312 |
| 深圳市源丰诚电子科技有限公司 | 朱先生0755-23919407 |
| 深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 瀚佳科技（深圳）有限公司 | 李0755-23915992/23140719 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
MX25L6406EMI-12G相关型号
- MCR18EZHF2052
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 20.5K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R2
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 2.2 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CECCBH1-12:C
存储器
Micron Technology Inc
100-VBGA
IC FLASH NAND 64GB 100VBGA
- HF50ACB201209-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
0805（2012 公制）
FERRITE CHIP 11 OHM 600MA 0805
- MX25L4006EPI-12G
存储器
Macronix
8-DIP（0.300＂，7.62mm）
IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP
- OMI-SS-248L,500
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V
- MVA25VE332MM22TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD
- MT5VDDT1672HG-26AC3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
- MCR18EZHF2053
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R4
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 2.4 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CFACAWP:C TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
- MX25L512EMI-10G
存储器
Macronix
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC FLASH SER 3V 512KB 8SOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- OMNI1500XLNAFTA
UPS系统
Tripp Lite
3-SIP
UPS 1500VA 940W 8OUT TOWER
- MVA35VE102ML17TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD
- MT5VDDT1672HY-335F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
- MCR18EZHF20R5
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ304
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- MVA50VC10RME55TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD
- OMNI242
RF 天线
RFM
3-SIP
ANTENNA 2.4GHZ 2DBI OMNI TNC
- MT5VDDT3272AY-335F1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR 256MB 184-DIMM
- MCR18EZHF2100
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 210 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- MCR03EZPJ334
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 330K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- HF50ACC321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
- MX25U1635EZUI-10G
存储器
Macronix
8-UDFN 裸露焊盘
IC FLASH SER 16MB 104MHZ 8USON
- OMNI249
RF 天线
RFM
3-SIP
ANTENNA 2.4GHZ 9DBI OMNI N-CONN
- MVA50VC47RMF80TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD
- MCR18EZHF2101
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 2.10K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT5VDDT3272AY-40BF1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR 256MB 184-DIMM
- MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- MCR03EZPJ361
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 360 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MX25U3235EZNI-10G
存储器
Macronix
8-WDFN 裸露焊盘
IC FLASH 1.8V 32MB 104MHZ 8WSON
- HF50ACC321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
- OMNILOG90200
RF 天线
Kaltman Creations LLC
3-SIP
ANTENNA ISOTRP 700MHZ-2.5GHZ RAD
- MVA50VE102ML22TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 1000UF 50V 20% SMD
- MT5VDDT3272HY-335F2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 256MB 200-SODIMM
- MCR18EZHF2102
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 21.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
